[发明专利]细胞电融合芯片及制造方法无效

专利信息
申请号: 200810233274.X 申请日: 2008-12-08
公开(公告)号: CN101434904A 公开(公告)日: 2009-05-20
发明(设计)人: 阴正勤;曹毅;杨军;徐海伟;郑小林;胡宁;夏斌;杨静;许蓉 申请(专利权)人: 中国人民解放军第三军医大学
主分类号: C12M1/42 分类号: C12M1/42;C12M3/00
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 代理人: 赵荣之
地址: 400038重*** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 发明公开了一种细胞电融合芯片,该芯片由硅片和玻璃片键合而成,硅片上设置有微电极组,所述微电极组上设置有多个微电极,所述微电极组设置有信号引出线;所述微电极呈锯齿状排列于微电极组的一侧或两侧,设置在相邻微电极组上的微电极交错相对,微电极组之间形成连续的微通道,本发明不但可以在融合过程中更加方便地观察和记录细胞融合过程,而且提高了细胞电融合芯片的抗化学腐蚀能力、耐高温高压能力、生物相容性能,同时,本发明还提出了一种细胞电融合芯片的制造方法。
搜索关键词: 细胞 融合 芯片 制造 方法
【主权项】:
1. 一种细胞电融合芯片,其特征在于:所述细胞电融合芯片由硅片(1)和玻璃片(2)键合而成,所述硅片(1)上设置有微电极组(3),所述微电极组(3)上设置有多个微电极(5),所述微电极组(3)设置有信号引出线;所述微电极(5)呈锯齿状排列于微电极组(3)的一侧或两侧,设置在相邻微电极组(3)上的微电极(5)交错相对,微电极组(3)之间形成连续的微通道(4)。
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