[发明专利]光电半导体银铜复合氧化物薄膜材料

摘要

本发明公开了一种新型光电材料。属光电领域和半导体领域。它以银粉、铜粉或银铜合金粉末为原料，添加少量的其它元素如Al，P，S，V，Mn，Co，Ni，Zn，Ga，Ge，As，Se，Nb，Mo，In，Sb等为禁带宽度性能调整元素，通过成型与氧化制成靶材，在电脉冲沉积或磁控溅射沉积，得到银铜氧的复合氧化物薄膜(AgCuO₂和Ag₂Cu₂O₃)。该薄膜可以通过控制氧分压调整组成氧化物的结构和比例，可以在较宽范围内调整光吸收系数和反射率，结构稳定，综合性能良好，尤其可应用于特殊的光电转换材料领域。其生产成本较目前化合物光电转换材料低，性能优，整个生产工艺过程简单且容易控制、无污染或少污染、可形成大批量生产。相关产品可广泛应用于太阳能材料，太空电池帆板材料，高能量光子吸收。

主权项

1. 一种光电半导体银铜复合氧化物薄膜材料，其特征在于含有以下成分：银粉、铜粉、添加元素，或银铜合金粉末和添加元素，其中粉末粒度小于45微米，铜元素占总重量的30-40％，余量为银和添加元素，薄膜中主要化合物为AgCuO2，并含有少量Ag2Cu2O3。