[发明专利]湿法清洗光掩模的方法

摘要

本发明涉及一种湿法清洗光掩模的方法，用温度在50-90℃的去离子水冲洗光掩模，同时用波长在0.5-100μm的光波对光掩模进行照射，光掩模表层的硫酸根离子和二氧化硅分子吸收光波能量，造成硫酸根离子与光掩模之间的氢键断裂，游离的硫酸根离子及污物随热去离子水移出光掩模的表层。本发明用热去离子水冲洗光掩模的同时用光波对光掩模进行照射，将该光波的光子能量作用到光掩模表层，使附着在光掩模表面的氢键断裂，使游离的硫酸根离子被热去离子水带出光掩模的表层，从而达到硫酸残留物的有效去除，在低成本的情况下，能大幅度减少光掩模的雾状缺陷，提高光掩模制作水平。

主权项

1、一种湿法清洗光掩模的方法，其特征在于：用温度在50—90℃的去离子水冲洗光掩模，同时用波长在0.5—100μm的光波对光掩模进行照射，光掩模表层的硫酸根离子和二氧化硅分子吸收光波能量，造成硫酸根离子和光掩模之间的氢键断裂，游离的硫酸根离子及污物随热去离子水移出光掩模的表层。