[发明专利]非接触式模板约束下的电场诱导微复型方法无效
申请号: | 200810236561.6 | 申请日: | 2008-12-31 |
公开(公告)号: | CN101446762A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 刘红忠;丁玉成;李欣;蒋维涛 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710049*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于微纳制造技术领域,具体涉及一种在电场的诱导下的微复型方法。包括如下步骤:1)模板的制备:在SiO2基材上沉积导电纳米铟锡金属氧化物ITO玻璃制备图形化模板;2)在SiO2基材表面蒸镀导电纳米铟锡金属氧化物ITO玻璃;3)在SiO2基材表面涂铺阻蚀胶;4)将制备好的模板压在阻蚀胶层上;5)外接直流电源:使阻蚀胶产生流变;6)进行电场诱导微复型;7)紫外线曝光固化阻蚀胶,得到所需的微纳结构。由于本发明的方法加工成本低,所需时间短,提高了生产效率,可应用于各种MEMS/NEMS(微米级机电系统/纳米级机电系统)器件的加工,如微流控器件、微传感器、微致动器件、光栅、微型生物芯片、光电子器件、太阳能电池等。 | ||
搜索关键词: | 接触 模板 约束 电场 诱导 微复型 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种非接触式模板约束下的电场诱导微复型方法,其特征在于,包括如下步骤:1)模板的制备:在SiO2基材上沉积导电纳米铟锡金属氧化物ITO玻璃制备图形化模板,模板的表面形状按照所需微纳结构的图形进行设计,用溅射沉积设备在SiO2基材上溅射沉积导电纳米铟锡金属氧化物ITO玻璃层,并在该层上用光刻工艺加工出图形结构,最后用溅射沉积设备在图形结构两侧加工出二氧化硅制的支撑部分,得到模板;2)在SiO2基材表面蒸镀导电纳米铟锡金属氧化物ITO玻璃,用溅射沉积设备在SiO2基材的底部蒸镀导电ITO玻璃层;3)在SiO2基材表面涂铺阻蚀胶:用匀胶机在导电纳米铟锡金属氧化物ITO玻璃层表面旋涂光固化阻蚀胶,阻蚀胶的厚度为纳米级至微米级;4)将制备好的模板压在阻蚀胶层上:以20MPa的压力P将制备好的模板压在阻蚀胶上,使模板的支撑部分的底部紧贴在阻蚀胶上,以保证模板和阻蚀胶之间的空隙尺寸相当于支撑部分的高度;5)外接直流电源:采用直流电源,电压调节范围0-100V,在模板的导电纳米铟锡金属氧化物ITO玻璃层处接直流电源的阳极,在涂铺有阻蚀胶的导电纳米铟锡金属氧化物ITO玻璃层处接直流电源的阴极,调整电压大小,使静电场产生的静电力增大至克服液态阻蚀胶的表面张力使阻蚀胶产生流变;6)进行电场诱导微复型:使液态阻蚀胶在稳定电压值的电场下保持0.25小时至24小时,直至微复型过程结束;7)紫外线曝光固化阻蚀胶:采用紫外固化设备产生紫外线对得到的微复型的进行曝光处理,使阻蚀胶固化,脱去模板,即可得到所需的微纳结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810236561.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:耐火制品及其生产方法
- 下一篇:一种硬盘节能的方法及装置