[发明专利]一种柔性非晶硅薄膜太阳电池的制备方法

摘要

本发明涉及一种柔性非晶硅薄膜太阳能电池的制备方法，所选用的柔性衬底为聚酰亚胺薄膜(PI膜)。其主要工艺步骤为：(1)清洗柔性衬底(PI膜)；(2)预烘PI膜；(3)制备Al背电极；(4)制备ZnO薄膜缓冲层；(5)利用PECVD制备NIP非晶硅薄膜；(6)制备Al前电极。本发明由于采用PI膜预烘工艺和ZnO薄膜缓冲层，使得电池的光电转换效率得到提高。该柔性电池具有极好的柔软性，可以任意卷曲。同时制备工艺简单，可实现规模生产。

主权项

1、一种柔性非晶硅薄膜太阳电池的制备方法，其步骤包括：(1)清洗聚酰亚胺薄膜，作为柔性衬底；(2)在真空条件下对衬底进行预烘，预烘温度为200～300℃，清除聚酰亚胺薄膜中包含的挥发性物质；(3)在聚酰亚胺薄膜上制备A1背电极；(4)在A1背电极上制备ZnO薄膜缓冲层，其中衬底温度为200～300℃，氩氧比：15∶0～35∶0，本底真空度10-3～10-4Pa，溅射功率：80～150W，溅射气压：1Pa，溅射时间：1小时～2小时；(5)按照下述过程在ZnO薄膜缓冲层上制备NIP非晶硅薄膜：(5. 1)在ZnO薄膜缓冲层上制备N型微晶硅薄膜，其中通入的各气体流量为：PH3：20～40sccm，SiH4：10～15sccm，射频功率为80～150W，衬底温度为180～240℃，溅射气压为1Pa，溅射时间为1分钟～2分钟；(5. 2)在N型微晶硅薄膜上制备I型非晶硅薄膜，其中通入的各气体流量为：SiH4：15～25sccm，射频功率为80～150W，衬底温度为180～240℃，溅射气压为1Pa，溅射时间为40分钟～1小时；(5. 3)在I型非晶硅薄膜上制备P型非晶碳化硅薄膜，其中通入的各气体流量为：B2H6：25sccm，CH4：35sccm，SiH4：40sccm，射频功率为80～150W，衬底温度为180～240℃，溅射气压为1Pa，溅射时间为30秒～1分钟；(6)在P型非晶碳化硅薄膜上制备A1前电极。