[发明专利]一种制备多晶硅薄膜的方法无效
| 申请号： | 200810237489.9 | 申请日： | 2008-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101481819A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 羊亿;罗云荣 | 申请（专利权）人： | 湖南师范大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/02 |
| 代理公司： | 长沙星耀专利事务所 | 代理人： | 宁星耀 |
| 地址： | 410081湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种制备多晶硅薄膜的方法，其包括以下步骤：(1)将硅粉、无机溶胶与有机溶剂混合，搅拌均匀，形成混合物；(2)将第(1)步配制的硅粉、无机溶胶与有机溶剂的混合物利用丝网印刷或喷涂法在衬底上成膜，并在200℃～600℃温度下退火，退火时间为0.1h～3h。本发明工艺简单，成本低廉；成膜均匀性好，膜厚便于控制；所需晶化温度低，因而能耗低；衬底选择范围广；适用于大面积规模化流水线生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 多晶 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将硅粉、无机溶胶与有机溶剂混合，搅拌均匀，形成混合物；(2)将第(1)步配制的硅粉、无机溶胶与有机溶剂的混合物利用丝网印刷或喷涂法在衬底上成膜，并在200℃～600℃温度下退火，退火时间为0.1h～3h。
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