[发明专利]一种离子注入剂量控制系统及控制方法无效
| 申请号： | 200810238899.5 | 申请日： | 2008-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101764030A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 钟新华;伍三忠;邱小莎 | 申请（专利权）人： | 北京中科信电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 101111 北京市中关村科*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子注入剂量控制系统及控制方法，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。该系统包括剂量积分器、扫描发生器、NI运动控制器和NI实时测量与控制器。本发明的优点是能够显著地提高离子注入剂量值和均匀性的精度以及自恢复功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 剂量 控制系统 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种离子注入剂量控制系统，包括剂量积分器、扫描发生器、NI实时测量与控制器、NI运动控制器，其特征在于：所述的剂量积分器输出与NI实时测量与控制器的连接；所述的扫描发生器与NI实时测量与控制器的连接；所述的NI运动控制器与NI实时测量与控制器的连接。
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