[发明专利]掺杂BaCeO3提高GdBaCuO高温超导体性能的方法无效
| 申请号： | 200810240069.6 | 申请日： | 2008-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101747033A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 焦玉磊;肖玲;郑明辉 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | C04B35/45 | 分类号： | C04B35/45;C04B35/622;H01B12/00 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 程凤儒 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种掺杂BaCeO3提高GdBaCuO高温超导体性能的方法，首先用固相法合成的BaCeO3粉体与固相法合成的GdBaCuO粉体混合，其中BaCeO3粉体占总重量的0.25-1.0％，经高速振摆球磨混合均匀后，用单轴模压成型；再采用顶部籽晶结合熔融织构生长工艺(TSMTG)制备单畴GdBaCuO超导块材；最后在350-400℃进行吸氧热处理50～120小时。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 baceo sub 提高 gdbacuo 高温 超导体 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种掺杂BaCeO3提高GdBaCuO高温超导体性能的方法，其特征在于，包括如下步骤：a.将固相法合成的Gd123、Gd211粉体与固相法合成的BaCeO3粉体混合，并经高速振摆球磨混合均匀，其中，Gd123与Gd211的摩尔比为1∶0.3～0.5，BaCeO3粉体占总重量的0.25-1.0％；b.用单轴模压成型；c.再采用顶部籽晶技术结合熔融织构生长工艺制备单畴GdBaCuO超导块材；d.将以上单畴GdBaCuO超导块材在350-400℃进行吸氧热处理50～120小时。
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