[发明专利]一种制备混合接触型电极的有机场效应晶体管的方法有效

专利信息
申请号: 200810240076.6 申请日: 2008-12-17
公开(公告)号: CN101752501A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 刘舸;刘明;刘兴华;商立伟;王宏;柳江 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L51/40 分类号: H01L51/40
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周国城
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种制备混合接触型电极的有机场效应晶体管的方法,通过在有机材料蒸镀生长之前先在栅介质上通过常规光刻和剥离的工艺淀积一薄层叉形金属底电极线条,金属线条平行排列;蒸镀有机半导体材料后再在金属线条两边通过漏板蒸镀源漏上电极。由于有机材料的结构的疏松以及电子束蒸发的电极金属能量较大而渗透到半导体材料应内部使上下电极自动连接起来。于是,混合接触型电极的有机场效晶体管制作完成。因此,这些线条不仅取到引导有机材料有序生长的作用,而且,在上下电极互连后它们也取到一种下电极的作用。上下电极构成平行电路,这也有效减小了器件的沟道电阻,增大了有机场效应晶体管的饱和输出电流。
搜索关键词: 一种 制备 混合 接触 电极 有机 场效应 晶体管 方法
【主权项】:
一种制备混合接触型电极的有机场效应晶体管的方法,其特征在于,该方法包括:步骤1、在导电基底上热氧化生长绝缘介质薄膜;步骤2、在该绝缘介质薄膜表面旋涂抗蚀剂,光刻得到叉形金属底电极线条的图形;步骤3、通过电子束蒸发在叉形金属底电极线条图形上蒸镀一层金属薄膜;步骤4、用丙酮剥离掉光刻胶形成平行排列的叉形金属线条;步骤5、真空淀积生长有机半导体薄膜;步骤6、通过镂空的掩模版沉积源漏金属电极,完成混合接触型电极的有机场效应晶体管的制备。
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