[发明专利]一种底电极结构有机场效应晶体管的制作方法

摘要

本发明公开了一种底电极结构有机场效应晶体管的制作方法。该方法在电极和栅介质层之间加一层真空蒸镀的有机半导体材料。这层半导体材料减小了下电极与有机半导体层材料之间的接触效应从而提高的性能。这层有机半导体材料可以就是有源层材料也可以是类似的有机半导体材料。它们之间的功函数接近，且电极与有源层的接触改变成一种顶电极接触方式，有效注入面积更大。利用本发明，实现了使用传统光刻工艺制作出具有顶电极结构性能的有机场效应晶体管。

主权项

一种底电极结构有机场效应晶体管的制作方法，其特征在于，该方法包括：步骤1、在导电基底上热氧化生长绝缘介质薄膜；步骤2、在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到过渡层的胶图形；步骤3、对过渡层的胶图形进行显影后真空蒸镀一层有机半导体材料；步骤4、剥离后涂胶再套刻得到底电极图形；步骤5、再通过电子束蒸发在底电极图形表面蒸镀一层金属薄膜；步骤6、用丙酮剥离掉光刻胶后得到带过渡层的底电极图形；步骤7、真空蒸镀有机半导体材料，完成器件的制作。