[发明专利]一种制作底电极平坦化的有机场效应晶体管的方法

摘要

本发明公开了一种制作底电极平坦化的有机场效应晶体管的方法，该方法包括：在导电基底上生长绝缘介质薄膜；在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到底电极胶图形；在底电极胶图形表面蒸镀一层金属薄膜；用丙酮剥离掉光刻胶对底电极进行图形化；旋涂可溶性有机栅介质，填隙在源漏之间的沟道，平坦化源漏电极；干燥有机栅介质材料，并蒸镀有机半导体层。利用本发明，底电极的平坦化工艺比较操作方便，设备简单，也不需要昂贵的刻蚀机设备，普通的旋涂工艺就可以很容易实现。同时，有机栅介质材料有些无机材料作为栅介质所不具备的优点，且材料种类非常丰富，可选择的空间比较大。

主权项

一种制作底电极平坦化的有机场效应晶体管的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1、在导电基底上生长绝缘介质薄膜；步骤2、在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到底电极胶图形；步骤3、在底电极胶图形表面蒸镀一层金属薄膜；步骤4、用丙酮剥离掉光刻胶对底电极进行图形化；步骤5、旋涂可溶性有机栅介质，填隙在源漏之间的沟道，平坦化源漏电极；步骤6、干燥有机栅介质材料，并蒸镀有机半导体层。