[发明专利]氮化镓基场效应管及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200810240270.4 申请日: 2008-12-18
公开(公告)号: CN101442071A 公开(公告)日: 2009-05-27
发明(设计)人: 李诚瞻;魏珂;郑英奎;刘果果;黄俊;刘新宇 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L29/778 分类号: H01L29/778;H01L21/335
代理公司: 北京市德权律师事务所 代理人: 王建国
地址: 100029*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明是关于一种氮化镓基场效应管及其制备方法。该场效应管包括正面管芯、衬底和背金结构,所述的衬底包括碳化硅衬底或蓝宝石衬底,所述的背金结构设置在衬底底面,该背金结构包括背金起镀层和电镀层,所述的背金起镀层是由钛金属层、钨金属层和金金属层构成的复合金属层,所述的钛金属层与所述的衬底接触。本发明采用氢氧化钠抛光液,对场效应管的衬底进行化学机械抛光,采用溅射钛/钨/金复合层金属的方法形成背金起镀层,利用钨的良好阻挡性能,钛/钨/金系统有效地阻挡金锡合金或金锡焊料在高温条件下向衬底渗透,有效地增强了背金结构在碳化硅衬底或蓝宝石衬底的粘附性。
搜索关键词: 氮化 场效应 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种氮化镓基场效应管,包括正面管芯、衬底和背金结构,所述的背金结构设置在衬底底面,该背金结构包括背金起镀层和电镀层,其特征在于:所述的背金起镀层是由钛金属层、钨金属层和金金属层构成的复合金属层,所述的钛金属层与所述的衬底接触。
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