[发明专利]基于单晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法有效
| 申请号： | 200810240275.7 | 申请日： | 2008-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101441112A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 何伟;明安杰;薛惠琼;焦斌斌;欧毅;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01J5/20 | 分类号： | G01J5/20;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于单晶硅PN结温度特性的非制冷红外探测器阵列及其制备方法。该阵列的制备方法包括：步骤A.硅片氧化还原，在纵向形成所述底硅层，埋氧层与顶硅层，同时通过底硅刻蚀，形成深槽，填充及平坦化，以在横向划分红外探测单元；步骤B.在每一红外探测单元中的顶硅层设置数个串联的单晶硅PN结；步骤C.在每一红外探测单元中形成所述电气连接布线，在所述单晶硅PN结与所述电气连接线上形成钝化层；步骤D、在每一红外探测单元中制作悬空的绝热悬臂梁，刻蚀所述底硅层，形成所述空腔。本发明利用单晶硅PN结的良好的温度特性，通过测量单晶硅PN结两端的电压的变化，以获得红外辐射强弱的探测结果。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 单晶硅 pn 制冷 红外探测器 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种基于单晶硅PN结温度特性的非制冷红外探测器阵列，包括数个红外探测单元，其特征在于，每一红外探测单元沿纵向包括：底硅层(7)，空腔(11)，埋氧层(8)，以及埋氧层(8)以上的顶硅层区域(9)；所述空腔(11)，由深槽(1)、埋氧层(8)以及底硅层(7)围成，所述顶硅层区域(9)包括：红外敏感区域(5)，电气连接线(4)与钝化层(10)，所述红外敏感区域(5)，包括设置在顶硅层中数个串联的单晶硅PN结(6)，所述单晶硅PN之间通过绝缘隔离槽(12)实现电隔离；所述电气连接线(4)由悬空的绝热悬臂梁(3)支撑，所述红外敏感区域(5)通过悬空的绝热悬臂梁(3)与底硅层(7)连接，所述红外敏感区(5)通过电气连接线(4)与外界信号处理电路连接；所述钝化层(10)位于红外敏感区(5)与电气连接线(4)之上，用于吸收红外辐射。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810240275.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种适用于原子力显微镜的连续成像自动选区方法
- 下一篇：大功率LED照明路灯
