[发明专利]一种制备硅纳米结构的方法无效
| 申请号： | 200810240932.8 | 申请日： | 2008-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101759140A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 张仁平;张杨;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及纳米电子技术中的半导体微纳加工技术领域，公开了一种制备硅纳米结构的方法，包括：制作进行电子束曝光所需的版图；对需要制作硅纳米结构的基片进行清洗、烘干；将基片热氧化生成二氧化硅掩蔽层；在基片上匀涂电子束曝光胶；按要求剂量用电子束曝光图形；显影和定影；电子束二次曝光；干法刻蚀二氧化硅；干法刻蚀硅，形成硅纳米结构。利用本发明，采用电子束曝光和干法刻蚀技术能够制作出100nm以下形状规则、边缘光滑、排列紧密、最精细处可达30nm的硅纳米结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 纳米 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种制备硅纳米结构的方法，其特征在于，该方法包括：制作进行电子束曝光所需的版图；对需要制作硅纳米结构的基片进行清洗、烘干；将基片热氧化生成二氧化硅掩蔽层；在基片上匀涂电子束曝光胶；按要求剂量用电子束曝光图形；显影和定影；电子束二次曝光；干法刻蚀二氧化硅；干法刻蚀硅，形成硅纳米结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810240932.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
