[发明专利]像素单元的FD有源区结构及其制备方法及CMOS图像传感器

摘要

本发明公开了一种像素单元的FD有源区结构，属于CMOS图像传感器领域。该FD有源区结构包括：P型硅半导体衬底上形成P型阱，P型阱上设有N型硅半导体注入层，所述N型硅半导体注入层中包含有N-Plus离子注入层，所述N型硅半导体注入层周围设有P型硅半导体注入层，所述P型硅半导体注入层用于隔离N型硅半导体注入层与器件的浅槽隔离区STI，所述N型硅半导体注入层上设有P型硅半导体Pin层，掩埋型接触孔底部穿过P型硅半导体Pin层与N型硅半导体注入层电连接。通过在像素单元FD有源区的N型硅半导体注入层中加入N-Plus注入层，在N型硅半导体注入层周围增加P型硅半导体注入层，在N型硅半导体注入层上增加Pin注入层等几中结构的改变，有效减小FD有源区漏电流的产生。

主权项

1、一种像素单元的FD有源区结构，其特征在于，包括：P型硅半导体衬底上形成P型阱，P型阱上设有N型硅半导体注入层，所述N型硅半导体注入层中包含有N-Plus离子注入层，所述N型硅半导体注入层周围设有P型硅半导体注入层，所述P型硅半导体注入层与N型硅半导体注入层形成反向P-N结，用于隔离N型硅半导体注入层与器件的浅槽隔离区STI，所述N型硅半导体注入层上设有P型硅半导体Pin层，掩埋型接触孔底部穿过P型硅半导体Pin层与N型硅半导体注入层电连接。