[发明专利]一种衬底上基片的微细加工方法有效
| 申请号： | 200810241103.1 | 申请日： | 2008-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101445217A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 陈兢;张轶铭 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙） | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种衬底上基片的微细加工方法，该方法包括：使用聚合物作为中间黏附层，通过压力键合的方法，将衬底与基片键合在一起，形成衬底上基片；对基片减薄，并深刻蚀形成通孔；对通孔进行回填，再次对基片进行深刻蚀形成电镀孔；在电镀孔内电镀金属，形成衬底与基片间支撑；释放通孔，通过通孔对聚合物进行刻蚀，从而释放结构。或，形成衬底上基片后，基片减薄，并深刻蚀形成电镀孔；在电镀孔内电镀金属，形成衬底与基片间的支撑，再对基片深刻蚀形成通孔；通过通孔对聚合物进行刻蚀，最后释放结构。本发明可在衬底上实现多种材料的低成本、高精度、高深宽比三维加工，且工艺与CMOS工艺兼容的微机械加工，可用于加工多种MEMS器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 上基片 微细 加工 方法 | ||
【主权项】：
1、一种衬底上基片的微细加工方法，其步骤包括：1)使用聚合物作为中间黏附层，通过压力键合的方法，将衬底与基片键合在一起，形成衬底上基片；2)对基片减薄，并深刻蚀形成通孔；3)对上述通孔进行回填，再次对基片进行深刻蚀形成电镀孔；4)在电镀孔内电镀金属，形成衬底与基片间的支撑；5)释放上述通孔，通过该通孔对聚合物进行刻蚀，释放结构。
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