[发明专利]一种用于三维系统级封装的垂直互连过孔及其制备方法有效
| 申请号： | 200810241119.2 | 申请日： | 2008-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101452907A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 赵立葳;缪旻;孙新;金玉丰 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/482;H01L21/768;H01L21/60;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙） | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于三维系统级封装的垂直互连过孔及其制备方法，属于微电子封装技术领域。该垂直互连过孔的形状为上、下两部分分别为一圆台，中间部分为一圆柱。其制备方法包括，利用带倾角的DRIE工艺、标准DRIE工艺以及DRIE工艺固有的footing效应，使硅片内垂直互连过孔的两端各带有一个过渡斜角。这样，在不增加工艺步骤的情况下，可以使硅片内垂直互连过孔的传输连线更平滑，减少在突变点处的电磁辐射，并且减少在拐角处的电磁回波损耗，从而提高叠层后三维立体互连的传输能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 三维 系统 封装 垂直 互连 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于三维系统级封装的垂直互连过孔，其特征在于，该垂直互连过孔的形状为上、下两部分分别为一圆台，其中间部分为一圆柱。
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