[发明专利]闪存存储装置中闪存控制器与闪存芯片之间的连接方法

摘要

本发明公开了一种闪存存储装置中闪存控制器与闪存芯片之间的连接方法，该方法包括闪存控制器的控制总线和数据总线(410)均分成N等份并与闪存芯片连接；命令进入数据重复与复用逻辑单元(514)时，数据重复与复用逻辑单元(514)会将命令复制为N等份然后通过控制分线(411)分别传输给芯片(402)；存储数据进入数据传输逻辑单元(654)时被均分成N等份数据；通过数据分线(420)分别写入闪存芯片(402)，当闪存控制器(401)接受读取命令时，也按类似步骤处理；闪存芯片(402)的状态信息通过数据分线(420)传输到闪存控制器(401)。本发明可以提高存储容量、降低成本和减少体积。

主权项

一种闪存存储装置中闪存控制器与闪存芯片之间的连接方法，所述闪存存储装置包括通过内部总线连接的至少一个微处理器、至少一个主机接口、至少一个内部缓存、(N*W)位(N为大于2的自然数，W为自然数)数据线宽的闪存控制器组成的阵列、W位数据线宽的闪存芯片构成的闪存存储单元阵列，所述的闪存存储单元阵列被分成数行数列，每个闪存控制器对应一列闪存存储单元，所述闪存控制器含有一个数据重复与复用单元和一个数据传输逻辑单元，所述方法包括以下步骤：a.用N个闪存芯片(402)组成一个闪存存储单元(402和403)；b.闪存控制器的控制总线(410)与所有闪存存储单元内的闪存芯片(402)连接；c.将闪存控制器的数据命令总线均分为N等份(420)，并和与之对应的闪存存储单元的N个闪存芯片(402)分别连接；d.当闪存控制器(401)接受写入命令时，写入命令进入数据重复与复用逻辑单元(514)，数据重复与复用逻辑单元(514)将命令复制为N等份；e.N等份的写入命令通过数据命令总线(420)分别传输给闪存存储单元的各个芯片(402)；f.闪存芯片(402)接受到命令后，存储数据进入数据传输逻辑单元(654)时，数据传输逻辑单元(654)将N*W位的数据均分成N等份数据；g.被分成N等份的存储数据从数据传输逻辑单元(654)输出，通过数据命令总线(420)分别同时写入闪存芯片(402)，闪存芯片的状态信息通过数据命令总线(420)传输给闪存控制器；h.当闪存控制器(401)接受读取命令时，读取命令进入数据重复与复用逻辑单元(514)，数据重复与复用逻辑单元(514)将命令复制为N等份；i.N等份的读取命令通过数据命令总线(420)分别传输给闪存存储单元的各个芯片(402)；j.闪存芯片(402)接受到命令后，通过数据命令总线(420)向数据传输逻辑单元(654)传输N份W位的数据，数据传输逻辑单元(654)将N份W位的数据还原为N*W位的数据，然后传输给ECC、DMA控制器；k.闪存芯片(402)的状态信息通过数据命令总线(420)传输到闪存控制器(401)。