[发明专利]在柔性衬底上制备透明导电薄膜及透明异质结的方法无效
| 申请号： | 200810243737.0 | 申请日： | 2008-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN101425467A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 董伟伟;方晓东;邵景珍;邓赞红;陶汝华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院安徽光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/36;H01L21/428;H01L33/00;H01L31/18;H01S5/32;G01N21/00;G02F1/15 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在柔性衬底上制备透明导电薄膜及透明异质结的方法，采用脉冲激光沉积法、溅射法等真空法或者化学溶液法等非真空薄膜制备方法在柔性衬底上室温至衬底软化温度范围内沉积n-TCO、p-TCO材料的非晶薄膜或依次沉积p-TCO薄膜和n-TCO薄膜制备透明p-n结，其特征在于：通过原位或异位激光退火使n-TCO、p-TCO材料的非晶薄膜结晶或者通过激光退火使透明p-n结的各层薄膜结晶。利用激光退火技术使柔性衬底上制备的n-TCO薄膜、p-TCO薄膜以及透明p-n结晶化并具有良好的光电性能。克服柔性衬底不耐高温处理以及各种单晶及硬质衬底上TCO薄膜和异质结不能卷曲、折叠、质量大等缺点，开发各种TCO薄膜和透明p-n结的新用途。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 衬底 制备 透明 导电 薄膜 异质结 方法 | ||
【主权项】：
1、在柔性衬底上制备透明导电薄膜及透明异质结的方法，采用脉冲激光沉积法、溅射法等真空法或者化学溶液法等非真空薄膜制备方法在柔性衬底上沉积n—TCO、p—TCO材料的非晶薄膜或依次沉积p—TCO薄膜和n—TCO薄膜制备透明p-n结，控制衬底温度为室温至衬底软化温度范围内，其特征在于：通过原位或异位激光退火使n—TCO、p—TCO材料的非晶薄膜结晶或者通过激光退火使透明p-n结的各层薄膜结晶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
