[发明专利]Y2O3-Lu2O3体系复合稀土-钼电子发射材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200810246837.9 | 申请日： | 2008-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101447376A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 王金淑;刘伟;高非;任志远;周美玲;左铁镛 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01J1/32 | 分类号： | H01J1/32;H01J9/12 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 魏聿珠 |
| 地址： | 100124*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Y2O3-Lu2O3体系复合稀土-钼电子发射材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。现有阴极材料无法满足较高的电子发射要求。本发明特征在于：使用稀土元素钇和镥作为添加元素，按任意比例掺杂到金属钼中制备阴极材料。本发明材料由Lu2O3和Y2O3两种稀土氧化物任意比例混合，该混合的稀土氧化物占发射材料总重量的20％wt，其余为钼。本发明制成稀土-钼次级电子发射材料，其次级电子发射系数高于含镧的阴极而最佳激活温度低于含镧阴极以及含铈阴极。 | ||
| 搜索关键词： | sub lu 体系 复合 稀土 电子 发射 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种Y2O3-Lu2O3体系复合稀土-钼电子发射材料，其特征在于：由Lu2O3和Y2O3两种稀土氧化物任意比例混合，该混合的稀土氧化物占发射材料总重量的20％wt，其余为钼。
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