[发明专利]一种增加区熔单晶炉运行时单晶稳定性的方法及装置无效

专利信息
申请号: 200810246877.3 申请日: 2008-12-26
公开(公告)号: CN101768773A 公开(公告)日: 2010-07-07
发明(设计)人: 谷宇恒;梁书正;赵洋 申请(专利权)人: 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司
主分类号: C30B13/00 分类号: C30B13/00
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人: 郭佩兰
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种增加区熔单晶炉运行时单晶稳定性的方法及装置,该方法是通过夹持装置与运行中的单晶实体接触,对单晶提供支持力用于消除单晶运行时,晃动和倒伏的现象,所述的与运行中的单晶实体接触的是夹持针,该夹持针与夹持牵引系统、夹持基座组成夹持装置。本发明的优点是:增加设备运行中单晶的稳定性的同时,又不影响单晶体生长的外部环境和工艺条件,这就意味着该方法可以在整体流程不变的情况下,提高了单晶生长环节中的单晶体的稳定性以及单晶完整率。
搜索关键词: 一种 增加 区熔单晶炉 运行 时单晶 稳定性 方法 装置
【主权项】:
一种增加区熔单晶炉运行时单晶稳定性的方法,其特征在于:通过夹持装置与运行中的单晶实体接触,对单晶提供必要的支持力用于消除单晶运行时,晃动和倒伏的现象。
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