[发明专利]半导体发光元件无效
| 申请号： | 200810300262.4 | 申请日： | 2008-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN101499510A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 徐智鹏;马志邦;江文章 | 申请（专利权）人： | 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201600上海市松江区松*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光元件，其包括基底、形成在基底上的半导体发光结构、以及极性相反的第一电极和第二电极，所述半导体发光结构包括一第一型半导体层、一第二型半导体层、以及一位于第一型半导体层与一第二型半导体层之间的活性层，所述第一电极和第二电极分别与第一型半导体层和第二型半导体层形成电连接，所述第二电极包括一透光导电层和一与透光导电层电接触的图案化金属导电层，所述第一电极包括相互分离的一感应电极以及一第一接触垫。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
【权利要求1】一种半导体发光元件，其包括基底、形成在基底上的半导体发光结构、以及极性相反的第一电极和第二电极，所述半导体发光结构包括一第一型半导体层、一第二型半导体层、以及一位于第一型半导体层与一第二型半导体层之间的活性层，所述第一电极和第二电极分别与第一型半导体层和第二型半导体层形成电连接，所述第二电极包括一透光导电层和一与透光导电层电接触的图案化金属导电层，其特征在于：所述第一电极包括相互分离的一感应电极以及一第一接触垫。
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