[发明专利]具有复合电极结构的介电薄膜及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200810304728.8 申请日: 2008-09-28
公开(公告)号: CN101364657A 公开(公告)日: 2009-02-11
发明(设计)人: 蒋书文;李言荣 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01P1/217 分类号: H01P1/217;H01P11/00
代理公司: 成都虹桥专利事务所 代理人: 李顺德
地址: 610054四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及薄膜电路产品,特别涉及一种介电薄膜电极结构及其制备方法。本发明针对现有技术介电薄膜使用中损耗大,漏电流大的缺点,公开了一种具有复合电极结构的介电薄膜及其制备方法,可以降低介电损耗和漏电流。本发明的技术方案是,具有复合电极结构的介电薄膜,包括基片、电极和介电薄膜,其特征在于,所述电极由金属电极和导电氧化物薄膜构成,所述金属电极制备在所述基片上,所述导电氧化物薄膜制备在所述金属电极上,所述介电薄膜制备在所述导电氧化物薄膜上。本发明还提供了具有复合电极结构的介电薄膜制备方法。本发明的介电薄膜,主要用于制造薄膜元器件等电路产品。
搜索关键词: 具有 复合 电极 结构 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
【权利要求1】具有复合电极结构的介电薄膜,包括基片、电极和介电薄膜,其特征在于,所述电极由金属电极和导电氧化物薄膜构成,所述金属电极制备在所述基片上,所述导电氧化物薄膜制备在所述金属电极上,所述介电薄膜制备在所述导电氧化物薄膜上。
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