[发明专利]具有复合电极结构的介电薄膜及其制备方法无效
申请号: | 200810304728.8 | 申请日: | 2008-09-28 |
公开(公告)号: | CN101364657A | 公开(公告)日: | 2009-02-11 |
发明(设计)人: | 蒋书文;李言荣 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01P1/217 | 分类号: | H01P1/217;H01P11/00 |
代理公司: | 成都虹桥专利事务所 | 代理人: | 李顺德 |
地址: | 610054四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及薄膜电路产品,特别涉及一种介电薄膜电极结构及其制备方法。本发明针对现有技术介电薄膜使用中损耗大,漏电流大的缺点,公开了一种具有复合电极结构的介电薄膜及其制备方法,可以降低介电损耗和漏电流。本发明的技术方案是,具有复合电极结构的介电薄膜,包括基片、电极和介电薄膜,其特征在于,所述电极由金属电极和导电氧化物薄膜构成,所述金属电极制备在所述基片上,所述导电氧化物薄膜制备在所述金属电极上,所述介电薄膜制备在所述导电氧化物薄膜上。本发明还提供了具有复合电极结构的介电薄膜制备方法。本发明的介电薄膜,主要用于制造薄膜元器件等电路产品。 | ||
搜索关键词: | 具有 复合 电极 结构 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
【权利要求1】具有复合电极结构的介电薄膜,包括基片、电极和介电薄膜,其特征在于,所述电极由金属电极和导电氧化物薄膜构成,所述金属电极制备在所述基片上,所述导电氧化物薄膜制备在所述金属电极上,所述介电薄膜制备在所述导电氧化物薄膜上。
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