[发明专利]铜核层多层封装基板的制作方法有效
申请号: | 200810305198.9 | 申请日: | 2008-10-27 |
公开(公告)号: | CN101436549A | 公开(公告)日: | 2009-05-20 |
发明(设计)人: | 林文强;王家忠;陈振重 | 申请(专利权)人: | 钰桥半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H05K3/46 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人: | 何 为 |
地址: | 中国台湾台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种铜核层多层封装基板的制作方法,系以一铜核基板为基础,开始制作单面、多层封装基板。其结构包括一具高刚性支撑的铜板,且此铜板的一面具增层线路,另一面则不具任何球侧图案。其各增层线路及置晶侧与球侧连接方式是以多个电镀盲、埋孔所导通。本发明封装基板的特色在于,具有高密度增层线路以提供电子组件相连时所需的绕线,同时并以该铜板提供足够刚性使封装制程可更为简易。藉此,使用本发明所制造的多层封装基板,可依实际需求形成具该铜核基板支撑的铜核层多层封装基板,并可有效达到改善超薄核层基板板弯翘问题、及简化传统增层线路板制作流程,进而提高封装体接合基板时的可靠度。 | ||
搜索关键词: | 铜核层 多层 封装 制作方法 | ||
【主权项】:
【权利要求1】一种铜核层多层封装基板的制作方法,其特征在于至少包含下列步骤:(A)提供一铜核基板;(B)于该铜核基板的第一面上形成一第一介电层及一第一金属层;(C)于该第一金属层及该第一介电层上形成多个第一开口,并显露部分铜核基板第一面;(D)于多个第一开口中及该第一金属层上形成一第二金属层;(E)分别于该第二金属层上形成一第一阻层,以及于该铜核基板的第二面上形成一完全覆盖状的第二阻层,该第一阻层上形成多个第二开口,系显露部分第二金属层;(F)移除该第二开口下方的第二金属层及第一金属层,并形成一第一线路层;(G)移除该第一阻层及该第二阻层,完成一具有铜核基板支撑并具电性连接的单层增层线路基板,并可选择直接进行步骤(H)或步骤(I);(H)于该单层增层线路基板上进行一置晶侧与球侧线路层制作:在该第一线路层表面形成一第一防焊层,并且在该第一防焊层上形成多个第三开口,以显露该第一线路层作为电性连接垫的部分;接着于该铜核基板的第二面上形成一第三阻层,并于多个第三开口中形成一第一阻障层;最后再移除该第三阻层,完成一具有完整图案化的置晶侧线路层与已图案化但仍完全电性短路的球侧线路层;以及(I)于该单层增层线路基板上进行一线路增层结构制作:在该第一线路层及该第一介电层表面形成一第二介电层,并且在该第二介电层上形成多个第四开口,以显露部分第一线路层;接着于该第二介电层与多个第四开口表面形成一第一晶种层,再分别于该第一晶种层上形成一第四阻层,以及于该铜核基板的第二面上形成一完全覆盖状的第五阻层,并于该第四阻层上形成多个第五开口,以显露部分第一晶种层,之后于该第五开口中已显露的第一晶种层上形成一第三金属层;最后移除该第四阻层、该第五阻层及该第一晶种层,以在该第二介电层上形成一第二线路层,完成一具有铜核基板支撑并具电性连接的双层增层线路基板;并可继续本步骤(I)增加线路增层结构,形成具更多层的封装基板,亦或直接至该步骤(H)进行置晶侧与球侧线路层制作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于钰桥半导体股份有限公司,未经钰桥半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810305198.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:阵列基板和具有该阵列基板的显示面板
- 下一篇:一种圆头锁眼机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造