[实用新型]陶瓷－金属封接的高压真空穿墙件有效
| 申请号： | 200820028674.2 | 申请日： | 2008-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN201174556Y | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 张小奇;张军辉;马力祯;韩少斐 | 申请（专利权）人： | 中国科学院近代物理研究所 |
| 主分类号： | H02G3/22 | 分类号： | H02G3/22 |
| 代理公司： | 兰州振华专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张真 |
| 地址： | 730000*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本实用新型主要涉及电真空领域，在真空情况下的电功率馈人器件。所述的陶瓷－金属封接的高压真空穿墙件，包括有内导体(7)，其两端为电缆接线端，外部设有内陶瓷绝缘套(6)，其主要特点在于：在内陶瓷绝缘套(6)的外部设有相固连的外导体大环(4)和外导体小环(5)，在外导体大环(4)与接地导体(2)之间设有外陶瓷绝缘环(3)，真空法兰(1)设于接地导体(2)的外环，并与之相连接。本实用新型的有益效果是：其耐压性能增强，整个陶瓷－金属封接的高压真空穿墙件的真空漏率好于1×10－10Pa·l/s；电感值实测为0.08μH；大截面的导体结构可以承载数千安培的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 金属 高压 真空 穿墙 | ||
【主权项】：
1.一种陶瓷-金属封接的高压真空穿墙件，包括有内导体(7)，其两端为电缆接线端，外部设有内陶瓷绝缘套(6)，其特征在于：在内陶瓷绝缘套(6)的外部设有相固连的外导体大环(4)和外导体小环(5)，在外导体大环(4)与接地导体(2)之间设有外陶瓷绝缘环(3)，真空法兰(1)设于接地导体(2)的外环，并与之相连接。
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