[实用新型]一种等离子体加工装置无效
| 申请号： | 200820029299.3 | 申请日： | 2008-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN201250185Y | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 刘卫国;梁海锋;杭凌侠 | 申请（专利权）人： | 西安工业大学 |
| 主分类号： | C03C23/00 | 分类号： | C03C23/00 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 黄秦芳 |
| 地址： | 710032*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及非接触法抛光技术领域，具体涉及一种等离子体加工装置。本实用新型的目的是要解决现有技术存在的抛光表面会引入外来元素，污染抛光表面，并且会因反应气体元素吸附在抛光表面，破坏抛光表面晶格完整性，易造成亚表面损伤的问题。为解决现有技术存在的问题，所提供的技术方案是：一种等离子体加工装置，包括工作室和其内部的电容耦合等离子体发生器，所述的电容耦合等离子体发生器包括进气口、射频接头和内套，所述的工作室为真空室，所述电容耦合等离子体发生器的内套外侧还依次设置有绝缘层和屏蔽层，内套、绝缘层和屏蔽层以过盈配合方式连接，在屏蔽层的外侧环设有环形磁铁，该环形磁铁通过直线移动机构联接于屏蔽层上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 加工 装置 | ||
【主权项】：
1、一种等离子体加工装置，包括工作室和其内部的电容耦合等离子体发生器(10)，所述的电容耦合等离子体发生器(10)包括进气口(1)、射频接头(2)和内套(3)，其特征在于：所述的工作室为真空室(9)，所述电容耦合等离子体发生器的内套(3)外侧还依次设置有绝缘层(4)和屏蔽层(5)，内套(3)、绝缘层(4)和屏蔽层(5)以过盈配合方式连接，在屏蔽层(5)的外侧环设有环形磁铁(8)，该环形磁铁(8)通过直线移动机构(7)联接于屏蔽层(5)上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安工业大学，未经西安工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200820029299.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
