[实用新型]带有多晶硅场板的功率MOS场效应管

摘要

一种带有多晶硅场板的功率MOS场效应管，其特征在于对MOS场效应管有源区外围的终端保护结构进行了以下几方面改进：1.将单胞阵列的边缘单胞外围的P－阱直接作为场限环；2.将场限环P－区、截止环P－区和单胞阵列的P－阱作为同一制造层，由P型掺杂同时形成；3.省去原来由场氧，将场板结构改由栅氧化硅层与多晶硅组成；4.将场板中的多晶硅作为P型杂质离子注入的阻挡层直接形成场限环P－区，截止环P－区及单胞的P－阱；5.在P型掺杂之后直接进行N型掺杂，使得场限环P－区、截止环P－区和单胞阵列的P－阱三者上部均带N+区。本实用新型节省了有源区光刻版，场限环光刻版及源区注入三层光刻板，在保证产品性能的前提下，减少了光刻次数，大大降低制造成本，可适用于大批量低成本制造功率MOS场效应管。

主权项

1、一种带有多晶硅场板的功率MOS场效应管，在俯视平面上，该器件中间为并联的单胞阵列，单胞阵列的外围设有终端保护结构，其特征在于：在俯视平面上，所述终端保护结构由一个场限环、一个场板和一个截止环组成，从单胞阵列的边缘单胞外围开始，终端保护结构由内向外按场限环、场板、截止环次序设置，而且边缘单胞外围直接连接场限环；在截面上，场限环位于半导体硅片的第一导电类型外延层上部区域内，它由第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区构成，其中，第一导电类型掺杂区位于第二导电类型掺杂区的上部；在截面上，场板由栅氧化硅层和导电多晶硅叠加构成，栅氧化硅层位于半导体硅片的第一导电类型外延层表面上，导电多晶硅位于栅氧化硅层上；在截面上，截止环位于半导体硅片的第一导电类型外延层上部区域内，它由第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区构成，其中，第一导电类型掺杂区位于第二导电类型掺杂区的上部，金属层将第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区连接成等电位；在截面上，场限环、截止环和单胞阵列三者各自的第二导电类型掺杂区为同一制造层，它们的第二导电类型杂质掺杂深度相同；场限环、截止环和单胞阵列三者各自的第一导电类型掺杂区为同一制造层，它们的第一导电类型杂质掺杂深度相同；场板中的导电多晶硅位于场限环与截止环之间区域的上方，并作为第一导电类型和第二导电类型杂质离子注入的阻挡层。