[实用新型]一种新型磁路结构考夫曼型离子源无效

专利信息
申请号: 200820037173.0 申请日: 2008-05-30
公开(公告)号: CN201207370Y 公开(公告)日: 2009-03-11
发明(设计)人: 陈长琦;张建国;干蜀毅;朱仁胜;郭江涛 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: H01J27/02 分类号: H01J27/02;H01J37/08
代理公司: 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 代理人: 何梅生
地址: 230009*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种新型磁路结构考夫曼型离子源,其结构组成包括由阳极管、阴极丝、加速栅和屏栅构成离子源放电室,以及用于中和离子束中正电荷的中和灯丝;其特征是设置单筒状阳极管固定在位于在离子源放电室底部的基底法兰上,阴极丝位于阳极管内部,用于产生多极磁场的磁路由阳极管外周分段设置、且同名端相向的各环形磁铁和分别设置在环形磁铁顶部、底部以及隔间设置在各段环形磁铁之间的磁靴组件构成。本实用新型采用轴向磁化的环形磁铁,通过磁靴的引磁作用,在阳极管壁附近产生局部的多极磁场,有效防止了原初电子撞击阳极管而导致能量损失,其结构简单、易于装配、方便拆卸。
搜索关键词: 一种 新型 磁路 结构 考夫曼型 离子源
【主权项】:
1、一种新型磁路结构考夫曼型离子源,其结构组成包括由阳极管(21)、阴极丝(24)、加速栅(10)和屏栅(9)构成离子源放电室,以及用于中和离子束中正电荷的中和灯丝;其特征是设置单筒状阳极管(21),所述单筒状阳极管(21)固定设置在位于在离子源放电室底部的基底法兰(26)上,阴极丝(24)位于阳极管内部,用于产生多极磁场的磁路由阳极管(21)外周分段设置、且同名端相向的各环形磁铁和分别设置在环形磁铁顶部、底部以及隔间设置在各段环形磁铁之间的磁靴组件构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥工业大学,未经合肥工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200820037173.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top