[实用新型]旋转形GaN基LED芯片电极无效
| 申请号： | 200820039406.0 | 申请日： | 2008-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN201259895Y | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 曾祥华;张俊兵 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州苏中专利事务所 | 代理人： | 张荣亮 |
| 地址： | 225009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种旋转形GaN基LED芯片电极，属于LED芯片技术领域，主要特点是在P型电极的P型焊盘和N型电极的N型焊盘之间分布着相互平行的P型和N型条形电极，N型电极还包括顺时针和逆时针向的两条旋转形条形电极，在两条旋转形条形电极之间分布着顺时针向的P型条形电极，且各条形电极都平行于芯片边缘，本实用新型结合了环形电极和条形电极的优点，P型和N型电极相互交叉平行排列，不仅缩短电流的传输距离，且二者之间距离相等，增加了电流分布的均匀性，提高了载流子的复合效率，增加了光的提取，减少了转化为内部热能的损耗，提高了芯片的出光效率，改善了芯片的光电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 旋转 gan led 芯片 电极 | ||
【主权项】：
1、一种旋转形GaN基LED芯片电极，包括P型电极和N型电极，对GaN外延片进行台面刻蚀，形成P型GaN台面和N型GaN沟槽，在P型GaN表面生长一层导电薄膜，再在导电薄膜上淀积P型电极，或者直接在P型GaN表面淀积P型电极，在沟槽内淀积N型电极，其特征是，在P型电极的P型焊盘和N型电极的N型焊盘之间分布着相互平行的P型和N型条形电极，N型电极还包括顺时针和逆时针向的两条旋转形条形电极，在两条旋转形条形电极之间分布着顺时针向的P型条形电极，且各条形电极都平行于芯片边缘。
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