[实用新型]分布反馈注入放大半导体激光器无效
| 申请号： | 200820065283.8 | 申请日： | 2008-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN201156647Y | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 李润兵;陈立;熊宗元;王谨;詹明生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院武汉物理与数学研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/12;H01S5/026;H01S5/06 |
| 代理公司： | 武汉宇晨专利事务所 | 代理人： | 王敏锋 |
| 地址： | 43007*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种分布反馈注入放大半导体激光器，电流温度控制电路与主激光器和锥形激光放大器电流温度控制接口相连，分布反馈半导体激光管固定在热电致冷封装模块后与主激光器调整座相连，主激光器准直透镜放置在准直透镜调整座上后与主激光器底座相连，格兰泰勒棱镜与旋光器相连组成光隔离器，锥形激光放大芯片、热敏电阻和锥形激光放大器输入、输出端透镜调整座与锥形激光放大器底座外壳相连后固定在热电致冷块上，主激光器的输出激光经过光隔离器后注入锥形激光放大器，放大激光经过光隔离器后通过光反馈实现激光功率稳定，光经过整形后输出高斯光束。本实用新型结构紧凑，方便调节，激光线宽窄，功率高，稳定性好，实用性强。 | ||
| 搜索关键词： | 分布 反馈 注入 放大 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1、一种分布反馈注入放大半导体激光器，它包括主激光器(A)、第一光隔离器(B)、锥形激光放大器(C)、第二光隔离器(D)、微弱光探测激光功率稳定系统(E)和激光整形系统(F)、放大后的激光束通过分束镜(38)，其特征是电流温度控制电路(1)与主激光器电流温度控制接口(2)和锥形激光放大器电流温度控制接口(3)相连，锥形激光放大芯片(21)的电极经过陶瓷电极(40)与电流温度控制接口(3)相连，主激光器调整座(4)和主激光器准直透镜调整座(8)与主激光器底座(4)相连，分布反馈半导体激光管(7)与热电致冷封装模块(6)相连后固定在主激光器调整座(4)上，主激光器准直透镜(9)和主激光器透镜调整座(8)相连，第一至第四格兰泰勒棱镜(12、13、26、27)与第一、第二旋光器(11、25)相连组成光隔离器后固定在第一、第二光隔离器底座(10、24)上，锥形放大激光器底座(14)与热电致冷块(16)相连，锥形激光放大器输入端聚焦透镜调整座(19)、锥形激光放大器输出端准直透镜调整座(23)和锥形激光放大器底座(14)与热电致冷块(16)相连，锥形激光放大芯片(21)和热敏电阻(17)与锥形激光放大器底座(14)相连，锥形激光放大器输入端聚焦透镜(20)与锥形激光放大器输入端聚焦透镜调整座(19)相连，锥形放大激光器输出端准直透镜(22)与锥形激光放大器输出端准直透镜调整座(23)相连，柱面镜(29)与柱面镜底座(28)相连，主激光器的输出激光经过光隔离器后注入锥形激光放大器，放大后的激光经过光隔离器再经过分束镜(38)，光经过柱面镜(29)后整形输出高斯光束。
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