[实用新型]电容式传声器芯片无效
| 申请号： | 200820079125.8 | 申请日： | 2008-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN201163820Y | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 宋青林;庞胜利;陶永春;刘同庆;潘昕 | 申请（专利权）人： | 歌尔声学股份有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/01 | 分类号： | H04R19/01;H04R19/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 张成新 |
| 地址： | 261031山东省潍坊*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型电容式传声器芯片，涉及传声器技术，利用振膜和基底即背极形成电容检测结构。振膜通过振膜支撑与背极上表面相连，形成悬臂结构或准自由振膜结构，振膜在水平方向上保持自由，充分的释放振膜的残余应力，提高振膜的上下振动性能；在振膜自由端边缘有上止挡和下止挡，保持振膜的稳定状态；振膜自由端边缘可制作悬梁结构，下止挡设在悬梁结构之下，保持振膜柔软的振动特性。振膜边缘设有的无数小孔改善频响特性，同时作腐蚀孔；本实用新型具有高灵敏度、低噪声、频带宽的特性，芯片的体积小，制作工艺简单，容易批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 传声器 芯片 | ||
【主权项】：
1、一种电容式传声器芯片，其特征在于，包括：基底(21)；与基底(21)间隔第一预定距离的振膜(25)，所述振膜(25)以悬臂梁的方式固定在基底上；下止挡(23)，所述下止挡(23)位于所述振膜(25)之下，用于限制所述振膜的位移量。
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