[实用新型]磁控溅射靶结构及设备有效

专利信息
申请号: 200820079516.X 申请日: 2008-03-21
公开(公告)号: CN201162043Y 公开(公告)日: 2008-12-10
发明(设计)人: 张文余;赵鑫 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人: 刘芳
地址: 100176北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开一种磁控溅射靶结构及磁控溅射靶设备。本实用新型所述的磁控溅射靶结构包括:传动装置,至少两个转动轴和多个磁靶条;所述传动装置缠绕于所述转动轴上,形成传动装置式传动结构;所述磁靶条并排布设于所述传动装置上。本实用新型所述的磁控溅射靶设备包括除上述磁控溅射靶结构外,还包括:靶材,位于所述传动装置式传动结构的外侧。通过本实用新型,由于采用传动装置带动磁体规律性的运动,形成平行均匀磁场,因此能够使靶材消耗非常均匀,避免了局部损耗过大的问题,从而提高了靶材的利用率;延长了靶材的使用寿命。
搜索关键词: 磁控溅射 结构 设备
【主权项】:
1、一种磁控溅射靶结构,其特征在于,包括:传动装置,至少两个转动轴和多个磁靶条;所述传动装置缠绕于所述转动轴上,形成传动装置式传动结构;所述磁靶条并排布设于所述传动装置上。
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