[实用新型]平膜式气体流量传感器有效
| 申请号： | 200820090724.X | 申请日： | 2008-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN201247082Y | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 齐虹;田雷;金建东;于海超;姜国光;王长虹;王震;李海博;寇文兵;傅博 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 |
| 主分类号： | G01F1/684 | 分类号： | G01F1/684;G01F1/692;B81B7/02 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 徐爱萍 |
| 地址： | 150001黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 平膜式气体流量传感器。它涉及流量传感器领域，它解决了现有气体流量传感器结构尺寸较大、功耗较高，且不易于批量生产，成本较高的缺点，它的单晶硅片的上下表面分别生成绝缘层，在上部绝缘层上依次生成过渡层和敏感金属层，并刻蚀为加热电阻、测温热敏电阻和控制电阻并相互平行；电极透过覆盖在单晶硅片上表面的钝化保护层连接敏感金属层，单晶硅片的底部开有一个平行于电阻刻蚀方向截面为杯形的沉槽，所述截面为杯形的沉槽的上底面为上部绝缘层的下底面，单晶硅片的底部还开有一个垂直于电阻刻蚀方向的矩形导流槽，截面为杯形的沉槽通过矩形导流槽与外界连通。它提高了传感器的稳定性和可靠性，具有响应速度快和灵敏度高、功耗低的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 平膜式 气体 流量传感器 | ||
【主权项】：
1、平膜式气体流量传感器，其特征在于它由单晶硅片(1)、绝缘层、过渡层(4)、敏感金属层(5)、钝化保护层(6)和电极(8)组成；单晶硅片(1)的上下表面分别生成有绝缘层，所述绝缘层内向外分别由二氧化硅层(2)和氮化硅层(3)组成，在上部的绝缘层上生成有过渡层(4)，过渡层(4)的上部为敏感金属层(5)，沿垂直或平行于单晶硅片(1)上表面的晶向方向刻蚀过渡层(4)和敏感金属层(5)为加热电阻Rh、测温热敏电阻Ra和控制电阻Rb，加热电阻Rh、测温热敏电阻Ra和控制电阻Rb相互平行；单晶硅片(1)上表面的绝缘层、过渡层(4)和敏感金属层(5)外部覆盖有钝化保护层(6)，电极(8)透过钝化保护层(6)与敏感金属层(5)连接，电极(8)由电极过渡层和电极层组成，电极过渡层位于电极层和敏感金属层(5)之间；单晶硅片(1)的底部开有一个平行于电阻刻蚀方向截面为杯形的沉槽，所述截面为杯形的沉槽的上底面为上部绝缘层的下底面，单晶硅片(1)的底部还开有一个垂直于电阻刻蚀方向的矩形导流槽(10)，截面为杯形的沉槽通过矩形导流槽(10)与外界连通。
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