[实用新型]温控腐蚀槽无效
| 申请号： | 200820093343.7 | 申请日： | 2008-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN201178093Y | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 钟建国;尚峰 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/00;C23F1/08 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郑小粤 |
| 地址： | 518029广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种温控腐蚀槽，包括耐酸的槽体，该腐蚀槽包括有换热水管、加热装置，换热水管设于槽体的槽壁上，换热水管上设有进水口、出水口；加热装置上设有加热进水管、加热出水管；所述换热水管的进水口、出水口分别与加热出水管、加热进水管相通。本实用新型可对腐蚀槽的温度进行控制，且制造、维护成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 温控 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种温控腐蚀槽，包括耐酸的槽体，其特征在于，该腐蚀槽包括有换热水管、加热装置，换热水管设于槽体的槽壁上，换热水管上设有进水口、出水口；加热装置上设有加热进水管、加热出水管；所述换热水管的进水口、出水口分别与加热出水管、加热进水管相通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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