[实用新型]基于可编程逻辑器件的NAND闪存启动装置无效

专利信息
申请号: 200820093441.0 申请日: 2008-04-16
公开(公告)号: CN201185088Y 公开(公告)日: 2009-01-21
发明(设计)人: 吴江东;范世杰;游江;鲁礼元 申请(专利权)人: 浩通科技(深圳)有限公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10
代理公司: 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 代理人: 郭伟刚
地址: 518067广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型涉及一种基于可编程逻辑器件的NAND闪存启动装置,包括NAND闪存,其还包括与所述NAND闪存连接的NAND闪存控制器,用于将NAND闪存的NAND接口转换为SRAM接口。所述NAND闪存控制器包括指令发生单元以及与所述指令发生单元连接的数据缓存单元、地址译码单元、忙闲指示单元、坏块探测单元。本实用新型旨在解决现有技术需要将NOR闪存或SDRAM与NAND闪存集成在一个芯片内才能提供SRAM接口的缺陷,通过增加NAND闪存控制器来利用NAND闪存实现启动,只需要单片NAND闪存就可完成NAND接口到SDRAM接口的转换,同时支持代码和数据的存取。
搜索关键词: 基于 可编程 逻辑 器件 nand 闪存 启动 装置
【主权项】:
1、一种基于可编程逻辑器件的NAND闪存启动装置,包括NAND闪存(3),其特征在于,还包括与所述NAND闪存(3)连接的NAND闪存控制器(2),用于将NAND闪存(3)的NAND接口转换为SRAM接口。
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