[实用新型]一种大功率多LED芯片的封装结构有效
| 申请号： | 200820095226.4 | 申请日： | 2008-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN201233892Y | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 黄少威 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/075;H01L23/488 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种大功率多LED芯片封装结构，其包括外壳，金线，复数个LED芯片，设置在外壳内用于安放所述LED芯片的复数个碗杯凹槽；每个碗杯凹槽中安放一个LED芯片，LED芯片至少有一个是单电极垂直结构LED芯片，其中，碗杯凹槽是分立且彼此间相互绝缘的，所述单电极垂直结构LED芯片的下电极通过安放所述单电极垂直结构LED芯片的碗杯凹槽间接与金线电连接，LED芯片的上电极通过金线引出。本实用新型的有益效果是，可以实现LED芯片的多种电连接方式的封装，满足了日益复杂的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 led 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种大功率多LED芯片的封装结构，包括外壳，金线，复数个LED芯片，设置在外壳内用于安放所述LED芯片的复数个碗杯凹槽；每个碗杯凹槽内安放一个LED芯片，LED芯片至少有一个是单电极垂直结构LED芯片，其特征在于：碗杯凹槽是分立且彼此间相互绝缘的，所述单电极垂直结构LED芯片的下电极通过安放所述单电极垂直结构LED芯片的碗杯凹槽间接与金线电连接，LED芯片的上电极通过金线引出。
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