[实用新型]不对称式T型薄膜电容无效
| 申请号： | 200820105088.3 | 申请日： | 2008-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN201229853Y | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 王培钟 | 申请（专利权）人： | 台金科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/005;H01G2/16 |
| 代理公司： | 上海天协和诚知识产权代理事务所 | 代理人： | 张恒康 |
| 地址： | 中国台湾台中市西屯*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种不对称式T型薄膜电容，使用于薄膜电容中，包括第一层金属化膜和第二层金属化膜，其特征在于：所述第一层金属化膜是在塑胶膜表面蒸着金属电极，且设有并联连续不对称的区块；所述第二层金属化膜的上端设置成型为空白区，且其余部分蒸着为金属电极；所述第二层金属化膜和所述第一层金属化膜重叠卷折而成一电容器，且在所述电容器侧喷涂金属融层容置入所述电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 不对称 薄膜 电容 | ||
【主权项】：
1. 一种不对称式T型薄膜电容，使用于薄膜电容中，包括第一层金属化膜和第二层金属化膜，其特征在于：所述第一层金属化膜是在塑胶膜表面蒸着金属电极，且设有并联连续不对称的区块；所述第二层金属化膜的上端设置成型为空白区，且其余部分蒸着为金属电极；所述第二层金属化膜和所述第一层金属化膜重叠卷折，且在其侧喷涂金属融层容置入所述电容器。
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