[实用新型]高通量测试芯片无效
| 申请号： | 200820116080.7 | 申请日： | 2008-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN201188104Y | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 朱晓璐;易红;倪中华 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01N33/48 | 分类号： | G01N33/48;C12Q1/02;A61B5/00;A61B10/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 211109江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 高通量测试芯片，在芯片基底(01)上设有导电层(02)，在导电层(02)上设有带有过孔的绝缘层(03)，在带有过孔的绝缘层(03)的边沿上设有间隔层(04)，在芯片中间间隔层(04)内的带有过孔的绝缘层(03)上设有微电极组(10)，在芯片中间间隔层(04)上设有芯片盖片(05)，进样口(06)设在芯片盖片(05)的中部；测试方法为运用光电导材料构成多相行波微电极阵列，同时运用虚拟电极直写装置在芯片电极组平面上投射预定的光图案阵列，在细胞初始聚集区的两侧形成虚拟电极阵列，使得多个细胞分别按照各自的光模式路径水平行进，以实现高通量并行测试，然后通过改变信号频率，通过图像采集装置记录下各频率点的细胞运动情况，最后运用图像处理方法得出每个细胞在一定频率范围内的介电谱。 | ||
| 搜索关键词： | 通量 测试 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种高通量测试芯片，其特征在于，该测试芯片包括微电极组(10)、芯片基底(01)、导电层(02)、带有过孔的绝缘层(03)、芯片中间间隔层(04)、芯片盖片(05)和进样口(06)；在芯片基底(01)上设有导电层(02)，在导电层(02)上设有带有过孔的绝缘层(03)，在带有过孔的绝缘层(03)的边沿上设有间隔层(04)，在芯片中间间隔层(04)内的带有过孔的绝缘层(03)上设有微电极组(10)，在芯片中间间隔层(04)上设有芯片盖片(05)，进样口(06)设在芯片盖片(05)的中部。
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