[实用新型]高压二氧化碳超临界旋涂成膜系统有效
申请号: | 200820124294.9 | 申请日: | 2008-12-11 |
公开(公告)号: | CN201342395Y | 公开(公告)日: | 2009-11-11 |
发明(设计)人: | 景玉鹏;惠瑜 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | B05C9/00 | 分类号: | B05C9/00;B05C11/08;B05D3/02;C23C26/00 |
代理公司: | 北京市德权律师事务所 | 代理人: | 王建国 |
地址: | 100029北京市朝*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种高压二氧化碳超临界旋涂成膜系统,属于微电子机械设备领域。所述系统包括密封的成膜腔,在所述成膜腔内设置有真空吸盘,所述真空吸盘与旋转马达的转子相连接;在所述成膜腔内部还设置有加热装置;所述成膜腔通过管路分别与外部二氧化碳钢瓶、反应气体钢瓶以及成膜液体罐相连通;此外,所述成膜腔还连接有与外部连通的排气管。此系统可以制备各种可以旋涂成膜的薄膜以及化学反应成膜。利用二氧化碳超临界流体的特殊性质,可以实现薄膜生长的应力可调。通过对压力和转速的控制,实现膜厚可控。该设备的发明解决了在MEMS工艺薄膜制备过程中残余应力大,薄厚膜制备困难等问题,可以大大推动MEMS工艺的发展。 | ||
搜索关键词: | 高压 二氧化碳 临界 旋涂成膜 系统 | ||
【主权项】:
1、一种高压二氧化碳超临界旋涂成膜系统,其特征在于,所述系统包括成膜腔,在所述成膜腔内设置有真空吸盘,所述真空吸盘与旋转马达的转子相连接;在所述成膜腔内部还设置有加热装置;所述成膜腔通过管路分别与外部的二氧化碳钢瓶、反应气体钢瓶以及成膜液体罐相连通;此外,所述成膜腔还连接有与外部连通的排气管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200820124294.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
B05 一般喷射或雾化;对表面涂覆液体或其他流体的一般方法
B05C 一般对表面涂布液体或其他流体的装置
B05C9-00 把液体或其他流体涂于表面的装置或设备,所采用的方法未包含在B05C 1/00至B05C 7/00组,或表面涂布液体或其他流体的方法不是重要的
B05C9-02 .对表面涂布液体或其他流体采用B05C 1/00至B05C 7/00中未包含的一个方法,不论是否还使用其他的方法
B05C9-04 .对工件的相对面涂布液体或其他流体
B05C9-06 .对工件的同一个面要求涂布两种不同的液体或其他流体,或者用同一种液体或其他流体涂布二次
B05C9-08 .涂布液体或其他流体并完成辅助操作
B05C9-10 ..在涂布之前完成辅助操作
B05C 一般对表面涂布液体或其他流体的装置
B05C9-00 把液体或其他流体涂于表面的装置或设备,所采用的方法未包含在B05C 1/00至B05C 7/00组,或表面涂布液体或其他流体的方法不是重要的
B05C9-02 .对表面涂布液体或其他流体采用B05C 1/00至B05C 7/00中未包含的一个方法,不论是否还使用其他的方法
B05C9-04 .对工件的相对面涂布液体或其他流体
B05C9-06 .对工件的同一个面要求涂布两种不同的液体或其他流体,或者用同一种液体或其他流体涂布二次
B05C9-08 .涂布液体或其他流体并完成辅助操作
B05C9-10 ..在涂布之前完成辅助操作