[实用新型]高压二氧化碳超临界旋涂成膜系统有效

专利信息
申请号: 200820124294.9 申请日: 2008-12-11
公开(公告)号: CN201342395Y 公开(公告)日: 2009-11-11
发明(设计)人: 景玉鹏;惠瑜 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: B05C9/00 分类号: B05C9/00;B05C11/08;B05D3/02;C23C26/00
代理公司: 北京市德权律师事务所 代理人: 王建国
地址: 100029北京市朝*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本实用新型公开了一种高压二氧化碳超临界旋涂成膜系统,属于微电子机械设备领域。所述系统包括密封的成膜腔,在所述成膜腔内设置有真空吸盘,所述真空吸盘与旋转马达的转子相连接;在所述成膜腔内部还设置有加热装置;所述成膜腔通过管路分别与外部二氧化碳钢瓶、反应气体钢瓶以及成膜液体罐相连通;此外,所述成膜腔还连接有与外部连通的排气管。此系统可以制备各种可以旋涂成膜的薄膜以及化学反应成膜。利用二氧化碳超临界流体的特殊性质,可以实现薄膜生长的应力可调。通过对压力和转速的控制,实现膜厚可控。该设备的发明解决了在MEMS工艺薄膜制备过程中残余应力大,薄厚膜制备困难等问题,可以大大推动MEMS工艺的发展。
搜索关键词: 高压 二氧化碳 临界 旋涂成膜 系统
【主权项】:
1、一种高压二氧化碳超临界旋涂成膜系统,其特征在于,所述系统包括成膜腔,在所述成膜腔内设置有真空吸盘,所述真空吸盘与旋转马达的转子相连接;在所述成膜腔内部还设置有加热装置;所述成膜腔通过管路分别与外部的二氧化碳钢瓶、反应气体钢瓶以及成膜液体罐相连通;此外,所述成膜腔还连接有与外部连通的排气管。
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