[实用新型]半导体机台的改良机构无效

专利信息
申请号: 200820130057.3 申请日: 2008-09-08
公开(公告)号: CN201266599Y 公开(公告)日: 2009-07-01
发明(设计)人: 刘奎江;陈力山;陈英信 申请(专利权)人: 力鼎精密股份有限公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/3065;C23F4/00;H01J37/32
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 陈肖梅;谢丽娜
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 实用新型涉及一种半导体机台的改良机构,包括一制程反应室、一间缝阀、一衬套结构、一基座以及一制程器具。其中,间缝阀位于制程反应室侧壁上,基座以连动方式连接于衬套结构,而制程器具以连动方式连接于基座。其中,制程器具为一文件板结构,其形状对应于间缝阀的形状。当制程开始前,制程器具位于第一位置,间缝阀呈打开状态;当晶圆通过间缝阀传送至制程反应室后,制程器具位于第二位置,而间缝阀呈关闭状态。本实用新型可改善蚀刻的均值效果,提高后续定期维修的时效,且简化蚀刻设备的复杂度并增加机构的可靠度。
搜索关键词: 半导体 机台 改良 机构
【主权项】:
1. 一种半导体机台的改良机构,其特征在于,包括:一制程反应室;一间缝阀,位于该制程反应室的侧壁上;一基座,设于该制程反应室中;一衬套结构,连接于该基座;以及一制程器具,设于该制程反应室中,连接于该基座;其中,当制程开始前,一晶圆通过该间缝阀传送至该制程反应室,该制程器具位于一第一位置;当该晶圆通过该间缝阀传送至该制程反应室后,该制程器具位于一第二位置,该制程器具遮盖该间缝阀。
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