[实用新型]一种用于多晶硅真空区熔提纯的加热线圈无效
| 申请号： | 200820136520.5 | 申请日： | 2008-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN201267022Y | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 张殿朝;闫萍;庞炳远;索开南 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | H05B6/36 | 分类号： | H05B6/36;H05B6/42;H05B6/26 |
| 代理公司： | 信息产业部电子专利中心 | 代理人： | 梁 军 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于多晶硅真空区熔提纯的加热线圈，包括线圈骨架、线圈水冷管、其特征在于，在线圈骨架内圆周围的上表面设有两级台阶，第二级台阶的底部一端和线圈骨架内圆边沿连接成的斜面与水平面呈第二倾斜角度，所述线圈骨架内圆为偏心式结构，线圈下表面上设有一个偏心刻槽。本实用新型所述加热线圈克服了真空区熔提纯过程中直径较大多晶硅边缘易出现毛刺的缺陷。内径偏心式结构，大大降低熔区出现腰带的可能性，线圈上表面倾斜设计，增强了多晶熔化界面熔硅流动性。在线圈骨架上靠近电极上法兰和电极下法兰的一侧设置一个切面互相平行的倾斜切口，减少了电磁泄漏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 多晶 真空 提纯 加热 线圈 | ||
【主权项】：
1、一种用于多晶硅真空区熔提纯的加热线圈，包括线圈骨架和线圈水冷管，线圈水冷管焊接嵌入线圈骨架内，所述线圈骨架内圆下边沿一端和线圈下表面连接成的斜面与水平面呈第一倾斜角度，其特征在于，所述线圈采用平板单匝结构，在线圈骨架内圆周围的上表面设有第一级台阶和第二级台阶，第一级台阶所在圆的直径大于第二台阶所在圆的直径，第二级台阶的底部一端和线圈骨架内圆边沿连接成的斜面与水平面呈第二倾斜角度。
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