[实用新型]带有功率控制模式的功率放大器偏置电路

摘要

本实用新型涉及一种带有功率控制模式的功率放大器偏置电路，它具有控制电压输入端、线性偏置电路、功率模式控制单元，功率模式控制单元包括第三晶体管、集电极与第三晶体管发射极相连接的第五晶体管、基极与第五晶体管基极相连接的第四晶体管，第三晶体管基极与第四晶体管集电极相连接并通过一上拉电阻与控制电压输入端相连接，且第四晶体管与第五晶体管的发射极分别接地，由于第五晶体管集电极和发射极间的等效电阻非常高，第三晶体管的集电极电流是高度稳定的。假设各晶体管具有相同的器件特性，那么它们就有相同的电路放大倍数，则抽取电流对于V_CON端的电压摆动不敏感，从而达到稳定功率模式的目的。

主权项

1、一种带有功率控制模式的功率放大器偏置电路，它具有控制电压输入端(VCON)，其用于接收来自基带的控制电压；线性偏置电路(1)，所述的线性偏置电路(1)包括第一晶体管(HBT1)和第二晶体管(HBT2)，所述的第一晶体管(HBT1)的基极与第二晶体管(HBT2)的发射极相连接；功率模式控制单元(2)，所述的功率模式控制单元(2)用于从所述的线性偏置电路(1)中抽取电流以控制第一晶体管(HBT1)的偏置状态；其特征在于：所述的功率模式控制单元(2)包括集电极与所述的第二晶体管(HBT2)的基极相连接的第三晶体管(HBT3)、集电极与所述的第三晶体管(HBT3)发射极相连接的第五晶体管(HBT5)、基极与所述的第五晶体管(HBT5)基极相连接的第四晶体管(HBT4)，所述的第三晶体管(HBT3)基极与第四晶体管(HBT4)集电极相连接并通过一上拉电阻(R2)与所述的控制电压输入端(VCON)相连接，且第四晶体管(HBT4)与第五晶体管(HBT5)的发射极分别接地。