[实用新型]一种利用低效片重处理的太阳能电池片无效
| 申请号： | 200820137685.4 | 申请日： | 2008-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN201349007Y | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 陈佰江 | 申请（专利权）人： | 宁波百事德太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315450*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种利用低效片重处理的太阳能电池片，该太阳能电池片包括氮化硅膜1、硅PN结2、银铝浆2、背铝3，上述各部件构成层状结构。本实用新型的有益效果：重复利用低效片，节约资源，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 低效 处理 太阳能电池 | ||
【主权项】：
1，一种利用低效片重处理的太阳能电池片，其特征在于，该太阳能电池片包括氮化硅膜(1)、硅PN结(2)、银铝浆(2)、背铝(3)，上述各部件构成层状结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
