[实用新型]纳米压印用二次压印模板有效

专利信息
申请号: 200820144819.5 申请日: 2008-12-24
公开(公告)号: CN201331670Y 公开(公告)日: 2009-10-21
发明(设计)人: 刘文;王定理;周宁;赵彦立;徐智谋 申请(专利权)人: 武汉光迅科技股份有限公司;华中科技大学
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 代理人: 江镇华
地址: 430074湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 一种纳米压印用二次压印模板,包括有基板,在基板上形成有多数个相同的成套密集波分复用系统用半导体激光器的分布反馈DFB光栅结构。分布反馈DFB光栅结构的光栅周期为:di=λi/(2neff),其中,di为光栅周期,λi为符合ITU-T要求的激光器波长,其值为1525~1565nm或1565~1605nm,波长间隔为0.8nm或0.4nm,neff为激光器材料的有效折射率,典型值为3~3.5。本实用新型,由于一次压印模板只含有少量DFB光栅图形,因此制作上占用电子束曝光机机时少,成本比较低。而且采用同一个一次压印模板可以制作出多个二次压印模板,适合于大批量生产,所以采用二次压印模板的纳米压印方法制作DFB半导体激光器光栅,具有光栅分辨率高、重复性好,以及制作成本低,生产效率高的特点。
搜索关键词: 纳米 压印 二次 模板
【主权项】:
1.一种纳米压印用二次压印模板,其特征在于,包括有基板(21),在基板(21)上形成有多数个相同的成套密集波分复用系统用半导体激光器的分布反馈光栅结构(22)。
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