[实用新型]薄膜晶体管阵列基板无效
| 申请号： | 200820152768.0 | 申请日： | 2008-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN201251667Y | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 秦丹丹 | 申请（专利权）人： | 上海广电光电子有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人： | 白璧华 |
| 地址： | 200233上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种薄膜晶体管阵列基板，包括一绝缘基板、交叉排列的栅极线和数据线、形成于栅极线和数据线交叉位置的薄膜晶体管、由栅极线和数据线分隔区域限定的像素电极，所述栅极线形成于第一金属层、所述数据线形成于第二金属层，所述像素电极形成于透明导电层，其中，所述栅极线和/或数据线呈断续状分布，所述第一金属层还形成有栅极接垫，所述第二金属层还形成有数据接垫，所述透明导电层还形成有和所述栅极接垫和/或数据接垫电接触的透明电极。本实用新型提供的薄膜晶体管阵列基板通过透明电极和接垫连接断续的栅极线、数据线，可把光罩数减少到三个，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 | ||
【主权项】：
1. 一种薄膜晶体管阵列基板，包括一绝缘基板、交叉排列的栅极线和数据线、形成于栅极线和数据线交叉位置的薄膜晶体管、由栅极线和数据线分隔区域限定的像素电极，所述栅极线形成于第一金属层、所述数据线形成于第二金属层，所述像素电极形成于透明导电层，在第一金属层和第二金属层之间依次沉积有一栅绝缘层、一有源层和一欧姆接触层，其特征在于，所述栅极线和/或数据线呈断续状分布，所述第一金属层还形成有栅极接垫，所述第二金属层还形成有数据接垫，所述透明导电层还形成有和所述栅极接垫和/或数据接垫电接触的透明电极。
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