[实用新型]低老化率小型高稳恒温晶振无效
| 申请号： | 200820158437.8 | 申请日： | 2008-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN201282448Y | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 单涨国 | 申请（专利权）人： | 长沙太阳人电子有限公司 |
| 主分类号： | H03B5/36 | 分类号： | H03B5/36;H03B5/04 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 | 代理人： | 颜 勇 |
| 地址： | 410205湖南省长沙市岳麓*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种低老化率小型高稳恒温晶振，其特征在于，包括晶体振荡电路，所述晶体振荡电路由主振级电路、匹配网络、幅度放大器、输出电路和隔离网络五部分依次串接组成；所述的主振级电路中的振荡管为场效应管；还包括控温电路；本低老化率小型高稳恒温晶振的体积小于等于15cm3；老化率为10-11/日；短期稳定度为5×10-12/S；工作频率为40MHz。 | ||
| 搜索关键词： | 老化 小型 恒温 | ||
【主权项】：
1、一种低老化率小型高稳恒温晶振，其特征在于，包括晶体振荡电路，所述晶体振荡电路由主振级电路、匹配网络、幅度放大器、输出电路和隔离网络五部分依次串接组成；所述的主振级电路中的振荡管为场效应管。
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