[实用新型]一种能快速降温的扩散炉无效
| 申请号： | 200820159573.9 | 申请日： | 2008-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN201303001Y | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 张恩理;娄志林;谢剑刚 | 申请（专利权）人： | 湖南天利恩泽太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 411102湖南省湘*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种能快速降温的扩散炉。它主要是解决现有扩散炉降温慢的问题。炉膛为双层保温结构，炉膛上部设有进冷却气管(1)和电磁气阀，炉膛两端下部设有出气口(7)，环型分配管(8)的两侧面有孔(9)，环形分气管(8)环绕内保温层(5)中部，冷却空气可以通过孔进入保温夹层(4)。它主要是用于太阳能电池片PN结的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 降温 扩散 | ||
【主权项】：
1、一种能快速降温的扩散炉，其特征是：炉膛内有双层保温结构，炉膛一端设有进冷却气管(1)和电磁气阀，炉膛另一端设有出气口(7)，环形分气管(8)环绕内保温层(5)中部，环型分配管(8)的两侧面有孔(9)，冷却空气可以通过孔(9)进入保温夹层(4)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
