[实用新型]基板处理装置无效
申请号: | 200820179387.1 | 申请日: | 2008-12-04 |
公开(公告)号: | CN201417757Y | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 广城幸吉;山本秀幸;竹下和宏;户岛孝之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B08B3/04 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 曾祥夌;杨松龄 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本实用新型涉及基板处理装置,其将基板浸入贮存的处理液中,进行基板处理。该基板处理装置设有具有相向配置的一对侧壁的处理槽和分别对应于上述一对侧壁而设置的一对处理液供给机构。上述一对处理液供给机构向连接上述一对侧壁的宽度方向上的上述处理槽内的中央侧供给处理液,从而在上述处理槽内的上述宽度方向上的中央区域形成上升流。上述一对侧壁的各自内壁面包括本体部、位于上述本体部上方的突出部以及位于最上方、形成上述处理液溢出的排出口的排出导向部。上述排出导向部向上且朝上述宽度方向的中央侧的对侧倾斜。上述突出部包括在上述宽度方向上比上述本体部及上述排出导向部更位于中央侧的内端部。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,将基板浸入贮存的处理液中而进行基板的处理,其特征在于,设有:至少具有相向配置的一对侧壁的处理槽;以及分别对应于所述一对侧壁而设、向所述处理槽内供给处理液的一对处理液供给机构,所述一对处理液供给机构构成为:向连接所述一对侧壁的宽度方向上的所述处理槽内的中央侧供给处理液,由此在所述处理槽内所述宽度方向的中央区域形成上升流,所述一对侧壁的各自的内壁面包括本体部、位于所述本体部上方的突出部以及位于最上方、形成所述处理液溢出的排出口的排出导向部,所述排出导向部向上且朝所述宽度方向的中央侧的对侧倾斜,所述突出部包括在所述宽度方向上比所述本体部的上方端部和所述排出导向部的下方端部更靠近所述中央侧的内端部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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