[实用新型]功率金属氧化物半导体场效晶体管结构

摘要

本实用新型提供一种功率金属氧化物半导体场效晶体管结构，其在组件单一记忆单元的源极接点区加入一沟道式电场屏护设计，可达到浅结(shallowjunction)低导通电阻，此外利用源极接点区下重掺杂区结分布的改变而可保有较佳的雪崩崩溃能量，以提升组件雪崩崩溃能量的耐受度。

主权项

1、一种功率金属氧化物半导体场效晶体管结构，其特征在于包含：一衬底，于该衬底的下表面具有一漏极金属导线以作为漏极接点；一外延层，是成长于该衬底上，其中该外延层更具有一栅极浅沟道结构及一源极浅沟道结构，于该些浅沟道结构的侧壁及底部形成有氧化物层并沉积有多晶硅结构以填满该些浅沟道结构；一浅基体井区，位于该外延层中；一浅源极结，位于该浅基体井区上；一介电质层，形成于该栅极浅沟道结构上；一源极接点区，是借由蚀刻该外延层及该源极浅沟道结构所形成；二重掺杂区，位于该源极浅沟道结构两侧的该外延层中；及一源极金属导线，沉积于该介电质层及该源极接点区上以与该源极接点区接触。