[实用新型]一种电容存储器

摘要

本实用新型涉及一种电容存储器，包括衬底、磷掺杂半球形多晶硅层、下二氧化硅/氮化硅绝缘介质和下磷掺杂平板形多晶硅组成的半球形多晶硅电容，其特征在于，半球形多晶硅和平板多晶硅做为电极并联，由于第一，二层平板电容的电极面积增强，电容存储器的整体性能比传统单结构的半球形多晶硅电容或平板电容高20-30％左右。本实用新型的优点是能增加电容存储量。

主权项

1.一种电容存储器，包括衬底(5)、磷掺杂半球形多晶硅层(6)、下二氧化硅/氮化硅绝缘介质(7)和下磷掺杂平板形多晶硅(8)，在衬底(5)和下二氧化硅/氮化硅绝缘介质(7)之间设有磷掺杂半球形多晶硅层(6)，在下二氧化硅/氮化硅绝缘介质(7)上面设有下磷掺杂平板形多晶硅(8)，其特征在于，在衬底(5)和磷掺杂半球形多晶硅层(6)之间设有第一电极(11)，在下磷掺杂平板形多晶硅(8)上面设有第一氮化硅绝缘层(12)，在下磷掺杂平板形多晶硅(8)和第一氮化硅绝缘层(12)上设有与之垂直的第一沟槽(10)，在第一沟槽(10)内设有第一铝/银层连接通道(9)，在下磷掺杂平板形多晶硅(8)和第一氮化硅绝缘层(12)之间设有第二电极(16)，在第一氮化硅绝缘层(12)上面设有上磷掺杂平板形多晶硅层(2)，在上磷掺杂平板形多晶硅层(2)和上磷掺杂平板形多晶硅层(4)之间设有上二氧化硅/氮化硅绝缘介质层(3)，上二氧化硅/氮化硅绝缘介质层(3)和磷掺杂平板形多晶硅层(4)上设有与之垂直的第二沟槽(14)，在上磷掺杂平板形多晶硅层(4)上设有第二氮化硅绝缘层(13)，在第二氮化硅绝缘层(13)上设有第二铝/银层连接通道(15)。